EPC8005ENGR
- 部品型番:
- EPC8005ENGR
- メーカー:
- EPC
- 説明:
- TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 72133 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 電圧 - テスト: | 29pF @ 32.5V |
| 電圧 - ブレークダウン: | Die |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
| 技術: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| シリーズ: | eGaN® |
| RoHSステータス: | Tray |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 2.9A (Ta) |
| 偏光: | Die |
| 他の名前: | 917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH |
| 運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | EPC8005ENGR |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 0.22nC @ 5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 2.5V @ 250µA |
| FET特長: | N-Channel |
| 拡張された説明: | N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | - |
| 説明: | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 65V |
| 静電容量比: | - |
| Email: | [email protected] |
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