BTS282Z E3230
- 部品型番:
- BTS282Z E3230
- 説明:
- MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 18570 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- BTS282Z E3230.pdf
簡潔な
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規格
| 状況 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2V @ 240µA |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | P-TO220-7-230 |
| シリーズ: | TEMPFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 300W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-220-7 |
| 他の名前: | BTS282Z E3230-ND BTS282ZE3230 BTS282ZE3230AKSA1 BTS282ZE3230NK SP000012357 SP000457996 |
| 運転温度: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 4800pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 232nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | Temperature Sensing Diode |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 49V |
| 詳細な説明: | N-Channel 49V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole P-TO220-7-230 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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