状況 | New & Unused, Original Packing |
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出典 | Contact us |
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@: | 1.3V @ 2.5A |
電圧 - 逆(VR)(最大): | 650V |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-257 |
速度: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ: | - |
逆回復時間(trrの): | 0ns |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-257-3 |
他の名前: | 1242-1119 1N8032GA |
動作温度 - ジャンクション: | -55°C ~ 250°C |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 18 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
ダイオードタイプ: | Silicon Carbide Schottky |
詳細な説明: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 2.5A Through Hole TO-257 |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 5µA @ 650V |
電流 - 平均整流(イオ): | 2.5A |
Vrと、F @キャパシタンス: | 274pF @ 1V, 1MHz |
ベース部品番号: | 1N8032 |
Email: | [email protected] |