TK56E12N1,S1X
TK56E12N1,S1X
Modello di prodotti:
TK56E12N1,S1X
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET N CH 120V 56A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12161 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TK56E12N1,S1X.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs:7 mOhm @ 28A, 10V
Dissipazione di potenza (max):168W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:TK56E12N1,S1X(S
TK56E12N1S1X
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4200pF @ 60V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:69nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):120V
Descrizione dettagliata:N-Channel 120V 56A (Ta) 168W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:56A (Ta)
Email:[email protected]

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