Condizione | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 240µA |
Vgs (Max): | ±30V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220SIS |
Serie: | DTMOSV |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 560 mOhm @ 3.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 30W |
imballaggio: | Tube |
Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
Altri nomi: | TK560A60Y,S4X(S TK560A60YS4X TK560A60YS4X(S |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Through Hole |
Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 300V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.5nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
Email: | [email protected] |