SQM10250E_GE3
- Modello di prodotti:
- SQM10250E_GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET N-CHAN 250V TO-263
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 67668 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SQM10250E_GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263 (D²Pak) |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 30 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 375W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | SQM10250E_GE3CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 47 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 4050pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 75nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 7.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 250V 65A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 65A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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