SIZ926DT-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SIZ926DT-T1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 28076 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SIZ926DT-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-PowerPair® (6x5) |
| Serie: | TrenchFET® Gen IV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V |
| Potenza - Max: | 20.2W, 40W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerWDFN |
| Altri nomi: | SIZ926DT-T1-GE3DKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V, 41nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 25V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A (Tc), 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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