SI5913DC-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI5913DC-T1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 27443 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- SI5913DC-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie: | LITTLE FOOT® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 84 mOhm @ 3.7A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi: | SI5913DC-T1-GE3CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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