R6002ENDTL
R6002ENDTL
Modello di prodotti:
R6002ENDTL
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
68927 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
R6002ENDTL.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:CPT3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):20W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:R6002ENDTLTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:65pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 1.7A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

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