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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > R6002END3TL1
R6002END3TL1
R6002END3TL1
Modello di prodotti:
R6002END3TL1
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
NCH 600V 2A POWER MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
56257 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
R6002END3TL1.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):26W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:R6002END3TL1CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:65pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount TO-252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A (Tc)
Email:[email protected]

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Parti relative per R6002END3TL1

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
R60030-3COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Inchiesta
R6002625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 Inchiesta
R6002030XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 Inchiesta
R60030-2SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Inchiesta
R60030-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Inchiesta
R60030-2PR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Inchiesta
R60030-1COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Inchiesta
R60030-2CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Inchiesta
R6001625XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 Inchiesta
R6001825XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 Inchiesta
R6002225XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 Inchiesta
R6002ENDTL Image R6002ENDTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 Inchiesta
R60030-1SR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Inchiesta
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R6001630XXYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 Inchiesta
R60030-2COR Bussmann (Eaton) FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS Inchiesta
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