QS8J5TR
- Modello di prodotti:
- QS8J5TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 9975 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- QS8J5TR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 39 mOhm @ 5A, 10V |
| Potenza - Max: | 600mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5A 600mW Surface Mount TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A |
| Email: | [email protected] |
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