QS8J2TR
- Modello di prodotti:
- QS8J2TR
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 65403 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.QS8J2TR.pdf2.QS8J2TR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 36 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 550mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SMD, Flat Lead |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1940pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A |
| Email: | [email protected] |
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