QJD1210010
- Modello di prodotti:
- QJD1210010
- fabbricante:
- Powerex, Inc.
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 78420 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.QJD1210010.pdf2.QJD1210010.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 10mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 100A, 20V |
| Potenza - Max: | 1080W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Module |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10200pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 500nC @ 20V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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