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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > PMPB95ENEAX
PMPB95ENEAX
PMPB95ENEAX
Modello di prodotti:
PMPB95ENEAX
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
77414 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PMPB95ENEAX.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DFN2020MD-6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:105 mOhm @ 2.8A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 15.6W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:1727-2705-2
568-13224-2
568-13224-2-ND
934067476115
PMPB95ENEAX-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:504pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:14.9nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):80V
Descrizione dettagliata:N-Channel 80V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.8A (Ta)
Email:[email protected]

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