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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > PMPB85ENEA/FX
PMPB85ENEA/FX
Modello di prodotti:
PMPB85ENEA/FX
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 4.4A 6DFN2020MD
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
64099 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PMPB85ENEA/FX.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-DFN2020MD (2x2)
Serie:Automotive, AEC-Q101
Rds On (max) a Id, Vgs:95 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta)
Contenitore / involucro:6-UDFN Exposed Pad
Altri nomi:934070279115
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Produttore tempi di consegna standard:26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:305pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione dettagliata:N-Channel 60V 4.4A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-DFN2020MD (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.4A (Ta)
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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