NDPL180N10BG
NDPL180N10BG
Modello di prodotti:
NDPL180N10BG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
41946 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NDPL180N10BG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3 mOhm @ 15V, 50A
Dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 200W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:NDPL180N10BGOS
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6950pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:95nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V, 15V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:N-Channel 100V 180A (Ta) 2.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:180A (Ta)
Email:[email protected]

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