FQD8N25TF
Modello di prodotti:
FQD8N25TF
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
28707 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.FQD8N25TF.pdf2.FQD8N25TF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D-Pak
Serie:QFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:550 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 50W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:530pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):250V
Descrizione dettagliata:N-Channel 250V 6.2A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.2A (Tc)
Email:[email protected]

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