NAND01GW3B2AZA6E
NAND01GW3B2AZA6E
Modello di prodotti:
NAND01GW3B2AZA6E
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
36259 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NAND01GW3B2AZA6E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:30ns
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore:63-VFBGA (9x11)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:63-TFBGA
Altri nomi:497-5036
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NAND Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 30ns 63-VFBGA (9x11)
Numero di parte base:NAND01G
Tempo di accesso:30ns
Email:[email protected]

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