NAND04GW3B2DN6E
NAND04GW3B2DN6E
Modello di prodotti:
NAND04GW3B2DN6E
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
64262 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NAND04GW3B2DN6E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:25ns
Tensione di alimentazione -:2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia:FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore:48-TSOP
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Non-Volatile
Dimensione della memoria:4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:FLASH - NAND Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP
Numero di parte base:NAND04G
Tempo di accesso:25ns
Email:[email protected]

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