MT47H512M4EB-25E:C TR
- Modello di prodotti:
- MT47H512M4EB-25E:C TR
- fabbricante:
- Micron Technology
- Descrizione:
- IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 8947 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- MT47H512M4EB-25E:C TR.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 15ns |
| Tensione di alimentazione -: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnologia: | SDRAM - DDR2 |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 60-FBGA (9x11.5) |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 60-TFBGA |
| Altri nomi: | MT47H512M4EB-25E:C TR-ND MT47H512M4EB-25E:CTR |
| temperatura di esercizio: | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo di memoria: | Volatile |
| Dimensione della memoria: | 2Gb (512M x 4) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | DRAM |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (512M x 4) Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA (9x11.5) |
| Frequenza dell'orologio: | 400MHz |
| Numero di parte base: | MT47H512M4 |
| Tempo di accesso: | 400ps |
| Email: | [email protected] |
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