MT47H32M8BP-37E:B TR
MT47H32M8BP-37E:B TR
Modello di prodotti:
MT47H32M8BP-37E:B TR
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
57163 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MT47H32M8BP-37E:B TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:15ns
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:SDRAM - DDR2
Contenitore dispositivo fornitore:60-FBGA (8x12)
Serie:-
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:60-FBGA
Altri nomi:557-1049-1
MT47H32M8BP-37E:B
temperatura di esercizio:0°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:256Mb (32M x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (32M x 8) Parallel 267MHz 500ps 60-FBGA (8x12)
Frequenza dell'orologio:267MHz
Numero di parte base:MT47H32M8B
Tempo di accesso:500ps
Email:[email protected]

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