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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JANTXV1N5615US
JANTXV1N5615US
Modello di prodotti:
JANTXV1N5615US
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
11537 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
JANTXV1N5615US.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:1.6V @ 3A
Tensione - inversa (Vr) (max):200V
Contenitore dispositivo fornitore:D-5A
Velocità:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/429
Tempo di ripristino inverso (trr):150ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SQ-MELF, A
Altri nomi:1086-19419
1086-19419-MIL
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-65°C ~ 175°C
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 200V 1A Surface Mount D-5A
Corrente - Dispersione inversa a Vr:500nA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io):1A
Capacità a Vr, F:45pF @ 12V, 1MHz
Email:[email protected]

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Parti relative per JANTXV1N5615US

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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JANTXV1N5556 Microsemi TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13 Inchiesta
JANTXV1N5617US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A A-MELF Inchiesta
JANTXV1N5554US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF Inchiesta
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JANTXV1N5614 Image JANTXV1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
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