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JANTXV1N5613
JANTXV1N5613
Modello di prodotti:
JANTXV1N5613
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
TVS DIODE 175V 265V G AXIAL
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile:
26042 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
JANTXV1N5613.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - interdizione inversa (tip):175V
Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp:265V
Tensione - ripartizione (min):191V
Canali Unidirezionali:1
Digitare:Zener
Contenitore dispositivo fornitore:G, Axial
Serie:Military, MIL-PRF-19500/434
Protezione della linea di alimentazione:No
Potenza - Pulsante di picco:1500W (1.5kW)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:G, Axial
Altri nomi:1086-15567
1086-15567-MIL
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs):5.7A
Capacità @ Frequenza:-
applicazioni:General Purpose
Email:[email protected]

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Parti relative per JANTXV1N5613

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
JANTXV1N5618US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A D5A Inchiesta
JANTXV1N5617 Image JANTXV1N5617 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N5616 Image JANTXV1N5616 Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N5552 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N5611 Microsemi TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL Inchiesta
JANTXV1N5614US Image JANTXV1N5614US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D5A Inchiesta
JANTXV1N5616US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A D5A Inchiesta
JANTXV1N5552US Image JANTXV1N5552US Microsemi DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF Inchiesta
JANTXV1N5558 Microsemi TVS DIODE 175V 265V DO13 Inchiesta
JANTXV1N5554US Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF Inchiesta
JANTXV1N5618 Image JANTXV1N5618 Microsemi DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N5615US Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A Inchiesta
JANTXV1N5556 Microsemi TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13 Inchiesta
JANTXV1N5555 Microsemi TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13 Inchiesta
JANTXV1N5612 Microsemi TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL Inchiesta
JANTXV1N5614 Image JANTXV1N5614 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N5615 Microsemi DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N5617US Microsemi DIODE GEN PURP 400V 1A A-MELF Inchiesta
JANTXV1N5554 Microsemi DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL Inchiesta
JANTXV1N5553 Image JANTXV1N5553 Microsemi DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL Inchiesta

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