IXFN24N100F
IXFN24N100F
Modello di prodotti:
IXFN24N100F
fabbricante:
IXYS RF
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
32999 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
IXFN24N100F.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-227B
Serie:HiPerRF™
Rds On (max) a Id, Vgs:390 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):600W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:14 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6600pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:195nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V
Descrizione dettagliata:N-Channel 1000V 24A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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