HGT1S10N120BNST
- Modello di prodotti:
- HGT1S10N120BNST
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 59669 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- HGT1S10N120BNST.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 1200V |
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Condizione di test: | 960V, 10A, 10 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 23ns/165ns |
| di scambio energetico: | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-263AB |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 298W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | HGT1S10N120BNST-ND HGT1S10N120BNSTTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 44 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo di ingresso: | Standard |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 100nC |
| Descrizione dettagliata: | IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 80A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 35A |
| Numero di parte base: | HGT1S10N120 |
| Email: | [email protected] |
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