HGTD1N120BNS9A
Modello di prodotti:
HGTD1N120BNS9A
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
61659 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
HGTD1N120BNS9A.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.9V @ 15V, 1A
Condizione di test:960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:15ns/67ns
di scambio energetico:70µJ (on), 90µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:-
Potenza - Max:60W
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:HGTD1N120BNS9ADKR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:44 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:NPT
carica gate:14nC
Descrizione dettagliata:IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA
Corrente - collettore Pulsed (Icm):6A
Corrente - collettore (Ic) (max):5.3A
Numero di parte base:HGTD1N120
Email:[email protected]

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