FQP10N20C
- Modello di prodotti:
- FQP10N20C
- fabbricante:
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 24727 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- 1.FQP10N20C.pdf2.FQP10N20C.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tensione - Prova: | 510pF @ 25V |
| Tensione - Ripartizione: | TO-220-3 |
| Vgs (th) (max) a Id: | 360 mOhm @ 4.75A, 10V |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | QFET® |
| Stato RoHS: | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9.5A (Tc) |
| Polarizzazione: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | FQP10N20C |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 26nC @ 10V |
| Tipo IGBT: | ±30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Caratteristica FET: | N-Channel |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Tensione drain-source (Vdss): | - |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200V |
| rapporto di capacità: | 72W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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