FCP099N65S3
- Modello di prodotti:
- FCP099N65S3
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
- quantità disponibile:
- 37164 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- FCP099N65S3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.5V @ 3mA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220-3 |
| Serie: | SuperFET® III |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 99 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 227W (Tc) |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2480pF @ 400V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 61nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 650V 30A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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