FCP13N60N
Modello di prodotti:
FCP13N60N
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
61417 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.FCP13N60N.pdf2.FCP13N60N.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220
Serie:SupreMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:258 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):116W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:FCP13N60N-ND
FCP13N60NFS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:39 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1765pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:39.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 13A (Tc) 116W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Tc)
Email:[email protected]

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