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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2025
EPC2025
Modello di prodotti:
EPC2025
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
73739 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2025.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Contenitore dispositivo fornitore:Die
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:150 mOhm @ 3A, 5V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:Die
Altri nomi:917-1125-6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:194pF @ 240V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V
Tensione drain-source (Vdss):300V
Descrizione dettagliata:N-Channel 300V 4A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC2025

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
EPC2023ENGR Image EPC2023ENGR EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2022 Image EPC2022 EPC TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2030ENGR Image EPC2030ENGR EPC TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2029 Image EPC2029 EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2023ENG Image EPC2023ENG EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2029ENGR Image EPC2029ENGR EPC TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2021ENGR Image EPC2021ENGR EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Inchiesta
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