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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > EPC2022ENGRT
EPC2022ENGRT
EPC2022ENGRT
Modello di prodotti:
EPC2022ENGRT
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
53980 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
EPC2022ENGRT.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - Prova:1400pF @ 50V
Tensione - Ripartizione:Die
Vgs (th) (max) a Id:3.2 mOhm @ 25A, 5V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Serie:eGaN®
Stato RoHS:Cut Tape (CT)
Rds On (max) a Id, Vgs:90A (Ta)
Polarizzazione:Die
Altri nomi:917-1140-1
917-1140-1-ND
917-EPC2022ENGRCT\
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:EPC2022ENGRT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 12mA
Caratteristica FET:N-Channel
Descrizione espansione:N-Channel 100V 90A (Ta) Surface Mount Die
Tensione drain-source (Vdss):-
Descrizione:TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100V
rapporto di capacità:-
Email:[email protected]

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Parti relative per EPC2022ENGRT

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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EPC2020 Image EPC2020 EPC TRANS GAN 60V 90A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2021ENG Image EPC2021ENG EPC TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE Inchiesta
EPC2023 Image EPC2023 EPC TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE Inchiesta
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EPC2024ENGR Image EPC2024ENGR EPC TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE Inchiesta
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