État | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Origine | Contact us |
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA |
Transistor Type: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Package composant fournisseur: | MINI6-G1 |
Séries: | - |
Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 4.7 kOhms |
Résistance - Base (R1): | 47 kOhms, 4.7 kOhms |
Puissance - Max: | 300mW |
Emballage: | Cut Tape (CT) |
Package / Boîte: | SOT-23-6 |
Autres noms: | XN0438100LCT XN4381CT XN4381CT-ND |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Fréquence - Transition: | 150MHz, 200MHz |
Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 150MHz, 200MHz 300mW Surface Mount MINI6-G1 |
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V |
Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 500nA, 1µA |
Courant - Collecteur (Ic) (max): | 100mA, 500mA |
Email: | [email protected] |