W987D6HBGX7E TR
- Modèle de produit:
- W987D6HBGX7E TR
- Fabricant:
- Winbond Electronics Corporation
- La description:
- IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 8702 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- W987D6HBGX7E TR.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 15ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| La technologie: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Package composant fournisseur: | 54-VFBGA (8x9) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 54-TFBGA |
| Autres noms: | W987D6HBGX7E TR-ND W987D6HBGX7ETR |
| Température de fonctionnement: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 128Mb (8M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9) |
| Fréquence d'horloge: | 133MHz |
| Temps d'accès: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
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