W632GU6AB-12
- Modèle de produit:
- W632GU6AB-12
- Fabricant:
- Winbond Electronics Corporation
- La description:
- IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 62264 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- W632GU6AB-12.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | - |
| Tension - Alimentation: | 1.283 V ~ 1.45 V |
| La technologie: | SDRAM - DDR3 |
| Séries: | - |
| Température de fonctionnement: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 2Gb (128M x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns |
| Fréquence d'horloge: | 800MHz |
| Temps d'accès: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
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