État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 10mA |
Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-92-3 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 350 mOhm @ 4A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 740mW (Tc) |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 5 Weeks |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 500pF @ 25V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 100V |
Description détaillée: | N-Channel 100V 1.2A (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 1.2A (Tj) |
Email: | [email protected] |