US6T9TR
- Modèle de produit:
- US6T9TR
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 45315 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.US6T9TR.pdf2.US6T9TR.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 30V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 350mV @ 25mA, 500mA |
| Transistor Type: | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur: | UMT6 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 400mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 320MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 30V 1A 320MHz 400mW Surface Mount UMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 270 @ 100mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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