UMB8NTR
Modèle de produit:
UMB8NTR
Fabricant:
LAPIS Semiconductor
La description:
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
49677 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
UMB8NTR.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur:UMT6
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):-
Résistance - Base (R1):10 kOhms
Puissance - Max:150mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):-
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA
Numéro de pièce de base:MB8
Email:[email protected]

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