UG06BHA0G
Modèle de produit:
UG06BHA0G
Fabricant:
TSC (Taiwan Semiconductor)
La description:
DIODE GEN PURP 100V 600MA TS-1
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
10028 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
UG06BHA0G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:950mV @ 600mA
Tension - inverse (Vr) (max):100V
Package composant fournisseur:TS-1
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:Automotive, AEC-Q101
Temps de recouvrement inverse (trr):15ns
Emballage:Tape & Box (TB)
Package / Boîte:T-18, Axial
Température d'utilisation - Jonction:-55°C ~ 150°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 100V 600mA Through Hole TS-1
Courant - fuite, inverse à Vr:5µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io):600mA
Capacité à Vr, F:9pF @ 4V, 1MHz
Email:[email protected]

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