TSM085P03CV RGG
- Modèle de produit:
- TSM085P03CV RGG
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 77046 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- TSM085P03CV RGG.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-PDFN (3x3) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 14A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 50W (Tc) |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 8-PowerWDFN |
| Autres noms: | TSM085P03CV RGGCT TSM085P03CV RGGCT-ND TSM085P03CVRGGCT |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3234pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| type de FET: | P-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | P-Channel 30V 64A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3x3) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 64A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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