TRS6E65C,S1AQ
- Modèle de produit:
- TRS6E65C,S1AQ
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 46324 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- TRS6E65C,S1AQ.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 6A (DC) |
| Tension - Ventilation: | TO-220-2L |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tube |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 35pF @ 650V, 1MHz |
| Polarisation: | TO-220-2 |
| Autres noms: | TRS6E65C,S1AQ(S TRS6E65C,S1Q TRS6E65C,S1Q(S TRS6E65CS1AQ TRS6E65CS1AQ(S TRS6E65CS1Q TRS6E65CS1Q-ND |
| Température d'utilisation - Jonction: | 0ns |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Référence fabricant: | TRS6E65C,S1AQ |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| Configuration diode: | 90µA @ 650V |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.7V @ 6A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 650V |
| Capacité à Vr, F: | 175°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
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