TPC8A06-H(TE12LQM)
- Modèle de produit:
- TPC8A06-H(TE12LQM)
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 31639 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- TPC8A06-H(TE12LQM).pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.1 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | - |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Autres noms: | TPC8A06HTE12LQM |
| Température de fonctionnement: | - |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | Schottky Diode (Body) |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| Description détaillée: | N-Channel 30V 12A (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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