État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 1.5mA |
Vgs (Max): | ±30V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 4-DFN-EP (8x8) |
Séries: | DTMOSIV |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 109 mOhm @ 15.4A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 240W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 4-VSFN Exposed Pad |
Autres noms: | TK31V60W5,LVQ(S TK31V60W5LVQTR |
Température de fonctionnement: | 150°C (TA) |
Type de montage: | Surface Mount |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 300V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 105nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 600V |
Description détaillée: | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 30.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |