TK10A80W,S4X
- Modèle de produit:
- TK10A80W,S4X
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18922 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- TK10A80W,S4X.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 450µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220SIS |
| Séries: | DTMOSIV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 550 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 40W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms: | TK10A80W,S4X(S TK10A80WS4X |
| Température de fonctionnement: | 150°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1150pF @ 300V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 800V |
| Description détaillée: | N-Channel 800V 9.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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