T2N7002BK,LM
- Modèle de produit:
- T2N7002BK,LM
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 0.4A SOT23
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 58037 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- T2N7002BK,LM.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-23-3 |
| Séries: | U-MOSVII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 320mW (Ta) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | T2N7002BK,LM(B T2N7002BK,LM(T T2N7002BKLM T2N7002BKLMTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 40pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.6nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | N-Channel 60V 400mA (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 400mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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