STPSC1006G-TR
- Modèle de produit:
- STPSC1006G-TR
- Fabricant:
- STMicroelectronics
- La description:
- DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19602 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- STPSC1006G-TR.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Inverse de crête (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 10A |
| Tension - Ventilation: | D²PAK |
| Séries: | - |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Résistance @ Si, F: | 650pF @ 0V, 1MHz |
| Polarisation: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Autres noms: | 497-11209-2 STPSC1006GTR |
| Température d'utilisation - Jonction: | 0ns |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | STPSC1006G-TR |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 10A Surface Mount D²PAK |
| Configuration diode: | 150µA @ 600V |
| La description: | DIODE SILICON 600V 10A D2PAK |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 1.7V @ 10A |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 600V |
| Capacité à Vr, F: | -40°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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