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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > STL33N60M2
STL33N60M2
STL33N60M2
Modèle de produit:
STL33N60M2
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
58225 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
STL33N60M2.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PowerFlat™ (8x8) HV
Séries:MDmesh™ II Plus
Rds On (Max) @ Id, Vgs:135 mOhm @ 10.75A, 10V
Dissipation de puissance (max):190W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:497-14969-2
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):3 (168 Hours)
Délai de livraison standard du fabricant:42 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 22A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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