STB20NM50-1
STB20NM50-1
Modèle de produit:
STB20NM50-1
Fabricant:
STMicroelectronics
La description:
MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
67028 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
STB20NM50-1.pdf

introduction

We can supply STB20NM50-1, use the request quote form to request STB20NM50-1 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number STB20NM50-1.The price and lead time for STB20NM50-1 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# STB20NM50-1.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:I2PAK
Séries:MDmesh™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max):192W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms:497-5382-5
STB20NM50-1-ND
Température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1480pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):550V
Description détaillée:N-Channel 550V 20A (Tc) 192W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes