État | New & Unused, Original Packing |
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Origine | Contact us |
Vgs (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
Vgs (Max): | ±8V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 6-UDFNB (2x2) |
Séries: | U-MOSVI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V |
Dissipation de puissance (max): | 1W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 6-WDFN Exposed Pad |
Autres noms: | SSM6J501NU,LF(A SSM6J501NU,LF(B SSM6J501NU,LF(T SSM6J501NULF SSM6J501NULF(TTR SSM6J501NULF(TTR-ND SSM6J501NULFTR |
Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 29.9nC @ 4.5V |
type de FET: | P-Channel |
Fonction FET: | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 1.5V, 4.5V |
Tension drain-source (Vdss): | 20V |
Description détaillée: | P-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 10A (Ta) |
Email: | [email protected] |