SSM3K357R,LF
- Modèle de produit:
- SSM3K357R,LF
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 26897 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SSM3K357R,LF.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SOT-23F |
| Séries: | π-MOSV |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.8 Ohm @ 150mA, 5V |
| Dissipation de puissance (max): | 1W (Ta) |
| Emballage: | Original-Reel® |
| Package / Boîte: | SOT-23-3 Flat Leads |
| Autres noms: | SSM3K357RLFDKR |
| Température de fonctionnement: | 150°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 60pF @ 12V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.5nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 3V, 5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | N-Channel 60V 650mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 650mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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