SQJ912BEP-T1_GE3
- Modèle de produit:
- SQJ912BEP-T1_GE3
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 39783 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- SQJ912BEP-T1_GE3.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Package composant fournisseur: | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11 mOhm @ 9A, 10V |
| Puissance - Max: | 48W (Tc) |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-PowerTDFN |
| Autres noms: | SQJ912BEP-T1_GE3TR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Fonction FET: | Standard |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| Description détaillée: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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